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  Kistler France




Technologie piézorésistive

Cellule en silicium à résistances implantées

Les capteurs piézorésistifs de Kistler sont utilisés pour les mesures de pression des gaz et des liquides, ainsi que pour les mesures statiques. Les résultats obtenus sont précis et reproductibles, même dans les conditions les plus hostiles.

Le terme "piézorésistif" signifie que la valeur d'une résistance électrique se modifie sous l'effet d'une pression. Et voici le principe de fonctionnement d'un capteur piézorésistif : Les mesures piézorésistives reposent sur la déformation que subit une membrane élastique en silicium monocristallin sous l'effet d'une pression. Un pont de Wheatstone constitué de résistances semi-conductrices est intégré à cette membrane. Sous l'effet de la pression, le pont subit un déséquilibre proportionnel à cette pression, et génère une tension – elle aussi proportionnelle – qui est alors amplifiée puis analysée.

La technique des circuits intégrés permet d'implanter des réseaux de résistances miniatures ainsi que des composants actifs sur une puce en silicium, laquelle peut être également structurée comme une membrane de pression. Les principaux avantages de cette technologie par rapport à la jauge de contrainte classique en métal sont une haute sensibilité, des dimensions minimales ainsi qu'une fréquence propre élevée.

Les cellules de mesure piézorésistives en silicium ont un excellent comportement statique. Le silicium est un monocristal qui conserve ses propriétés élastiques jusqu'à la limite de rupture. Il ne se produit donc pas de déformations plastiques. C'est la raison pour laquelle les cellules en silicium sont très stables et que leurs propriétés ne se modifient pas avec le temps. Leur comportement dynamique est également remarquable. Du fait de leurs dimensions réduites, les cellules en silicium présentent une fréquence propre très élevée. Selon la plage de pression (épaisseur de la membrane), elle varie entre 15 et 200 kHz.

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